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Die Kombination aus X3 und 32nm ist Durchbruch in Sachen Abmessungen und Dichte. Deutlich niedrigere Produktionskosten bei gleicher Performance.

• Produktion von microSD Cards mit mehr Kapazität möglich, die mit jetzigen Technologien nicht realisierbar sind
• ABL-Architektur (All Bit-Line) von SanDisk und Verbesserungen an der 32-nm-Prozesstechnologie erlauben die Beibehaltung des Performance-Niveaus der 43-nm-Prozesstechnologie

ISSCC CONFERENCE, SAN FRANCISCO, USA, 10. Februar 2009 - Die Firmen SanDisk (NASDAQ: SNDK) und Toshiba geben die gemeinsame Entwicklung von Multi-Level Cell (MLC) NAND-Flash-Speichern auf Basis der 32-nm-Prozesstechnologie bekannt. Ziel ist die Produktion eines 32-Gigabit-Speichers auf Basis der X3-Technik (3 Bit pro Zelle). Es wird erwartet, dass diese Neuerung die rasche Markteinführung hoch entwickelter Technologien nach sich zieht, mit denen sich eine Produktpalette von Memory Cards bis hin zu Solid State Drives (SSDs) mit mehr Kapazität und zu geringeren Kosten produzieren lassen wird. „Die Tatsache, dass wir nur eineinhalb Jahre nach Einführung der ersten 3-Bit-pro-Zelle-Produkte auf 56-nm-Basis unsere dritte 3-Bit-pro-Zelle-Generation mit 32nm vorstellen, kennzeichnet das unglaublich hohe Tempo, das man heute vorlegen muss, wenn man sich in der modernen Industrie als Hersteller von Weltrang behaupten will“, betont Sanjay Mehrotra, Mitbegründer und Präsident von SanDisk. „Für uns eröffnet sich damit die Möglichkeit, höhere Kapazitäten in attraktiven Formaten anzubieten und gleichzeitig die Produktionskosten zu senken, was uns insgesamt bei der Erweiterung unserer verschiedenen Produktlinien hilft. Nicht zuletzt unterstreicht diese neue Entwicklung das fundierte technische Know-how und den Innovationsvorsprung von SanDisk, wovon letztendlich die Konsumenten profitieren.“

Die 32nm X3-Technologie – Ideal für microSD-Applikationen

Das 32Gb X3-Produkt in 32-nm-Technologie ist der kleinste NAND-Flash-Speicherchip, von dem bisher berichtet wurde. Er passt in das fingernagelgroße microSD™-Speicherkarten-Format, das in Mobiltelefonen und anderen Consumer-Elektronik-Produkten große Verbreitung gefunden hat. Der 32nm X3-Speicher mit 32Gb ist weltweit der microSD-Speicherchip mit der höchsten Speicherdichte. Bei vergleichbarer Chipfläche bietet er die doppelte Kapazität eines microSD-Chips in 43-nm-Technologie. Fortschritte bei den 32-nm-Prozesstechnologien und im Schaltungsdesign haben entscheidend dazu beigetragen, die Chipfläche von 113mm² zu erreichen. Die patentierte All-Bit-Line-Architektur (ABL) von SanDisk war außerdem eine wesentliche Voraussetzung für die Aufrechterhaltung einer wettbewerbsfähigen X3-Schreib-Performance war.

„Der geringe Platzbedarf und die unglaubliche Dichte des 32nm X3-Chips werden die Produktion von microSD-Cards mit Kapazitäten erlauben, die ohne diese Technologie nicht möglich wären“, erklärt Yoram Cedar, Executive Vice President, OEM Business Unit and Corporate Engineering bei SanDisk. „Das microSD-Format ist durch die steigende Nachfrage nach kapazitätsstarken Speichermedien in Mobiltelefonen immer beliebter geworden. Dank der X3-Technologie können wir diesen Markt jetzt mit interessanten neuen Produkten beliefern.“

Entscheidende SanDisk-Technologien bilden die Grundlage

32nm sind bisher die höchste Entwicklungsstufe im Bereich der Flash-Memory-Technologie. Hochkarätige Lösungen sind hier gefragt, um die Probleme zu bewältigen, die sich durch die Skalierung der Schaltungsstrukturen ergeben. Mehrere innovative Technologien sorgen auf der 32-nm-Stufe dafür, dass die Chipfläche steiler als nach der Trendlinie von Moore’s Law schrumpft.

Klaus Schuegraf, Vice President, Memory Technology bei SanDisk, kommentiert: „Die 32-nm-Technologie stützt sich auf den erfolgreichen Einsatz der Immersions-Lithografie bei SanDisk auf der 43-nm-Stufe zur Implementierung eines Spacer-Prozesses, ohne dass zusätzliche Investitionen in kapitalintensives Lithografie-Equipment erforderlich sind. SanDisk überträgt seine branchenführende NAND-Stringlänge von 64 Bit auf die 32-nm-Technologie, wobei Interferenz-Effekte von Bit zu Bit durch Innovationen bei den Programmieralgorithmen und beim Systemdesign kompensiert werden.“

SanDisk und Toshiba haben auf der 2009 International Solid State Circuits Conference (ISSCC) einen gemeinsam verfassten Beitrag über 32nm 32Gb X3 NAND-Flash-Speicher vorgelegt. Darin werden die technischen Fortschritte präsentiert, die den Umstieg auf 32nm möglich gemacht haben. Die Produktion des 32nm 32Gb X3-Speichers wird voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2009 beginnen.

Über SanDisk
Die SanDisk Corporation ist der Erfinder von Flash-Speicherkarten und ist weltweit der größte Lieferant von Flashspeicherkartenprodukten - von Forschung, Herstellung und Produktdesign über Markenstrategie bis hin zum Einzelhandel. Das Produktportfolio von SanDisk umfasst Flash-Speicherkarten für Mobiltelefone, Digitalkameras und Camcorder, digitale Audio-/Videoplayer, USB Flashlaufwerke für Privatkunden und Unternehmen, integrierte Speicher für Mobilgeräte und Solid State Drives für Computer. SanDisk (www.sandisk.com/corporate) ist ein S&P 500 Unternehmen mit Sitz in Silicon Valley. Mehr als die Hälfte des Umsatzes wird außerhalb der USA erzielt.